时间: 2024-05-09 16:39:30 | 作者: 竞技宝测速站网址
光刻机龙头ASML近来宣告,将在今年底推出第一台支撑高数值孔径(NA)的极紫外光刻机(EUV),
光刻机龙头ASML近来宣告,将在今年底推出第一台支撑高数值孔径(NA)的极紫外光刻机(EUV),型号为“Twinscan EXE:5000”。NA数值孔径是光刻机光学体系的重要目标,直接决议了光刻的实践分辨率,以及最高能到达的工艺节点。 ASML现有最先进的EUV光刻机是NEX:3400C、NEX:3400D,NA只要0.33,对应的分辨率为13nm,能够出产金属距离在38-33nm之间的芯片。但是,当金属距离缩小到30nm以下,也便是对应的工艺节点逾越5nm时,这样的分辨率就不够了,只能够运用EUV两层曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技能来辅佐,这会大幅度提高本钱,还会下降良品率。 因而,更高的NA成为必需。新一代EXE:5000就能做到0.55 NA,光刻分辨率也将缩小到8nm。EXE:5000有点像是试验渠道,供芯片制造厂学习怎么样运用高NA EUV技能。估量2025年发货的下一代EXE:5200,才干支撑大规模量产。 Intel开始方案在其18A(1.8nm)工艺节点运用ASML的高NA EUV光刻机,2025年量产,但后来提早到了2024年下半年,等不及ASML的新机器。所以,Intel就改用0.33 NA NXE:3600D/3800E,叠加两层曝光来完成18A工艺,一起运用运用资料的Endura Sculpta的曝光成形体系来尽或许削减两层曝光的运用。 尽管如此,Intel仍然会是高NA EUV光刻机的第一家客户,或许会在18A节点的后期引进它。台积电、三星都方案在2025年晚些时候投产2nm工艺,或许也会用上高NA EUV光刻机。至于这种先进光刻机的价格,没有官方数据,不同陈述估量在单台本钱就要3-4亿美元,相当于人民币22-29亿元。