氮化镓（GaN）是一种具有较带宽度的半导体，归于宽禁带半导体之列。氮化镓是微波功率晶体管的优秀资料，是研制微电子器材、光电子器材的新式半导体资料，具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性高（简直不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照才能。

  在新一代半导体资猜中，日本公司又一次走在前列——日前Novel Crystal Technology全球初次量产了100mm（4英寸）的“氧化镓”晶圆。据日本新闻媒体报道，Novel Crystal Te

  6月5日，英诺赛科（姑苏）半导体有限公司举行量产暨研制楼奠基仪式，宣告英诺赛科姑苏8英寸硅基氮化镓研制生产基地慎重进入量产阶段。该项目坐落江苏省姑苏市吴江区汾湖高新区，一期出资80亿元，用地213亩，按当时方案，到2021年末，产能可达6000片每月

  IT之家3月13日音讯 TrendForce 集邦咨询近来发布了 GaN 氮化镓商场调研陈述。陈述数据显现，虽然 2018 年至 2020 年以氮化镓为代表的第三代半导体工业遭到交易冲突、疫情影响增加遭到

  前语：作为第三代半导体资料新星之一的氮化镓（GaN），正在敏捷燃爆商场。台积电2月21日宣告，与意法半导体协作加快商场选用氮化镓产品。加快氮化镓（GaN）制程技能的开发，并将分离式与整合式氮化镓元件导入商场