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  最近，因为国家将投入巨资支持第三代半导体的新闻的流传，让本来就有了很高关注度的G

  aN和SiC等产业又获得了高度关注，据媒体相关盘点，也有不少企业已经投入到这个市场。

  下面我们从华润微和赛微的两份调研报告，看看国内企业是如何看第三代半导体的。

  首先看GaN方面，赛微电子董秘张阿斌认为，GaN 产业起步相对较晚，2005 年以后氮化镓才应用在微波或功率器件，所以从这个方面来讲，氮化镓是我国与欧美日韩国际半导体企业差距最小的分支，我国在氮化镓的起步并不晚，尤其是在 LED、雷达方面国家近年来大力扶持，因此这块比较具有领头羊，在微波和功率器件方面，近几年除了国家政策的支持外，有很多国内企业向此进军。

  当然，代工或产能确实是个门槛，IDM 模式从做大做强和成长迭代方面肯定具有优势；国内市场应用在功率、微波领域都比较有优势，市场需求加上国内一流的人才集聚以及资本力量，相信国内能很快赶上来。

  华润微方面则认为，基于技术和市场因素考量，他们看好硅基氮化镓功率器件领域，此领域目前明确的市场是紧凑型adapter，跟着时间的推移和技术的成熟，新的应用领域会出现。

  再看SiC方面，华润微方面表示，由于成本比较高，SiC 的应用大多分布在在工业和汽车领域，所以他们都以为这类产品目前比较确定的应用领域是高端电源、太阳能逆变器和 UPS。在问到对于SiC与Si的取代关系时，华润微回应道，因为第三代化合物半导体的成本比较高，不可能完全取代硅器件。现在 SiC 遇到的机遇是硅器件近些年发展遇到了瓶颈，有些性能已经没办法突破，需要 SiC 来解决硅器件没有办法解决的问题。

  “GaN 和 SiC 都属于第三代半导体，在宽禁带和击穿电场方面都有相同的特性，都适合做功率电子应用，氮化镓具有高导通能力，氮化镓的异质结是碳化硅不具备的，因此，氮化镓相对碳化硅更具有速率和效率方面的优势。另一方面碳化硅起步较早，更成熟，有一定的成本优势，良率、热导率也会更好些，因此在超高压大功率有更强的散热优势。简单来说，在功率系统里，大于 10KW 以上的汽车逆变器、轨道交通、发电等应用领域，碳化硅更有优势，在 10KW 以下的快充、智能家电、无线充电、服务器等应用领域，氮化镓有更多的优势。碳化硅（SiC）技术我们现在也可以做，但主要根据客户的真实需求。”张阿斌说。