)放大器可采用引脚架构芯片级封装(LFCSP)和法兰封装，通过成熟的回流焊工艺安装在印刷电路板(不仅充当器件之间的电气互联连接，还是放大器排热的主要途径（利用封装底部的金属块）。

  本应用笔记介绍热阻概念，并提供一种技术，用于从裸片到采用LFCSP或法兰封装的典型RF放大器的散热器的热流动建模。

  材料不一样的区域之间有温度差时，热量从高温区流向低温区。这一过程与电流类似，电流经由电路，从高电势区域流向低电势区域。

  所有材料都具有一定的导热性。热导率是衡量材料导热能力的标准。热导率值通常以瓦特每米开尔文(W/mK)或瓦特每英寸开尔文(W/inK)为单位。如果已知材料的热导率，则采用以下公式，以C/W或K/W为单位计算材料单位体积的热阻(θ)：

  利用热流量等效于电流量的类比，本身具备热阻且支持热流流动的材料的温差如下：

  器件的热阻相当复杂，往往与温度呈非线性关系。因此，我们采用有限元分析方法建立器件的热模型。红外摄影技术能确定器件连接处的温度和操作期间封装的温度。基于这些分析和测量结果，能确定等效的热阻。在对器件实施测量的特定条件下，等效热阻是有效的，一般是在最大操作温度下。

  在给定的数据手册中，会在绝对最大额定值表中给出每个产品的最大结温（基于器件的半导体工艺）。在表1中，指定的维持百万小时MTTF的最大结温为225℃。指定的这个温度一般适用于氮化镓(GaN)器件。超过这个限值会导致器件的寿命减少，且出现永久性的器件故障。

  器件的工作时候的温度(TCASE)已在封装底座上给出。TCASE是封装底部金属块的温度。工作时候的温度不是器件周围空气的温度。

  如果已知TCASE和PDISS，则很容易计算得出结温(TJ)。例如，如果TCASE=75°C，PDISS=70 W，则能够正常的使用以下公式计算TJ：

  考量到器件的可靠性时，TJ是最重要的规格参数，决不能超过此数值。相反，若能通过降低PDISS，使TJ保持在最大可允许的水平之下，则TCASE可以超过指定的绝对最大额定值。在此例中，当外壳温度超过指定的最大值85°C时，可使用减额值636 mW/°C来计算最大可允许的PDISS。例如，使用表1中的数据，当PDISS的限值为83 W时，可允许的最大TCASE为95°C。PDISS可使用以下公式计算：

  为了充分了解器件周围的整个热环境，必须对器件的散热路径和材料来建模。图1显示了安装在PCB和散热器上的LFCSP封装的截面原理图。在本例中，裸片生热，然后经由封装和PCB传输到散热器。要确定器件连接处的温度，必须计算热阻。利用热阻与热流，可计算得出结温。然后将结温与最大指定结温作比较，以确定器件可不可靠地运行。

  在典型电路板中，包含多个通孔和多个PCB层。在计算系统截面的热阻时，会使用热电路计算各个热阻，并将串联热阻与并联热阻结合起来，以此确定器件的总热阻。

  对于每个散热路径，都使用公式1来计算其热阻。要计算得出各个热阻值，必须已知材料的热导率。参见表2，查看PCB总成中常用材料的热导率。

  图2基于图1中所示的热模型，显示等效的热电路。TPKG表示封装底部的温度，TSINK表示散热器的温度。在图2中，假设封装(TA)周围的环境空气温度恒定不变。对于外层包有外壳的真实总成，TA可能随着功耗增加而升高。本分析忽略了散热路径至环境空气的温度，因为对于具有金属块的LFCSP和法兰封装，θJA要远大于θJC。

  HMC408LP3功率放大器采用一块0.01英寸厚，由Rogers RO4350层压板构成的评估板。图3所示的接地焊盘面积为0.065 × 0.065英寸，上有5个直径为0.012英寸的通孔。电路板顶部和底部分别有1盎司镀铜（0.0014英寸厚）。通孔采用½盎司铜进行镀层（0.0007英寸厚）。装配期间，会在通孔中填塞SN63焊料。分析显示，几乎所有的热流都会流经焊料填塞的通孔。因此，在本分析中，余下的电路板布局都可忽略。

  各个热阻都使用公式1计算得出。计算θSN63时，采用的SN63焊料的热导率为1.27 W/inK，长度（或者焊接点的厚度）为0.002英寸，焊接面积为0.004225英寸（0.065英寸× 0.065英寸）。

  接下来，以相似方式计算PCB顶部的铜镀层的值。铜镀层的热导率为10.008 W/inK，长度为0.0014 英寸（1盎司铜），镀层面积为0.00366平方英寸(in2)。

  外径为0.006英寸，内径为0.0053英寸时，计算得出的面积为0.00002485 in2。通孔的长度为板的厚度（0.01英寸），铜的热导率为10.008 W/inK。

  因为并排存在5个通孔，所以热阻要除以5。所以，θVIACU= 8.05°C/W。

  因为存在5个填塞通孔，所以等效热阻为θVIASN63= 17.85°C/W。

  在图2所示的等效热电路中，三个热阻（θPCB、θVIACU和θVIASN63）并联组合之后为5.37°C/W。在通孔中填塞焊料之后，热阻从8.05°C/W降低至5.37°C/W。最后，加上热阻串联的值，能得出整个PCB总成的热阻。

  热阻值确定后，必须确定热流(Q)值。对于RF器件，Q的值表示输入器件的总功率和器件输出的总功率之间的差值。总功率包括RF功率和直流功率。

  对于HMC408LP3功率放大器，使用公式11来计算图4中所示的PDISS的值。图4显示了放大器的以下特性：

  HMC408LP3功率放大器正常运行时（例如，输入功率≤ 5 dBm），功耗小于4 W，这表示散热器的温度能稍微高于71.6°C。但是，如果放大器在深度压缩环境中工作，且输入功率等效于15 dBm，则PDISS升高，且要求散热器的温度不高于71.6°C。

  组件的预期寿命与工作时候的温度紧密关联。在低于最大结温的温度下运行能延续器件的常规使用的寿命。超过最大结温会缩短常规使用的寿命。因此，实施热分析能保证在预期的操作条件下不会超过指定的最大结温。

  使用采用LFCSP和法兰封装的低结温表贴RF功率放大器来围装热阻迫使PCB不仅要充当器件之间的RF互连，还要用作导热路径以导走功率放大器的热量。

  在这些计算中，最关键的指标是RF放大器的结温或通道温度(TJ)。只要不超过最大结温，那么其他标称限值，例如TCASE，则可以高于限值。